深圳市硕为科技有限公司 - 超规格电子元器件

高精密金属膜电阻-MFR

卓越稳定性与精密容差，极低温度系数(TCR)，适用于电信和医疗设备的高功率应用

精度: 0.05%,0.1%,0.25%,0.5%,1% 温度系数: 5PPM ~ 100PPM 封装:0318，0623，0932，1145，1550

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TO-220 30W无感功率电阻

30W高功率电阻，采用TO-220封装，适用于开关电源、缓冲电路、自动化机器控制器、射频功率放大器等应用

精度: 0.5%,1%,5% 温度系数: 50PPM ~ 300PPM 封装:TO-220

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高精密薄膜贴片电阻

采用先进的薄膜镍铬技术，在陶瓷基板上沉积超薄镍铬层，通过精密激光调阻实现极高精度和稳定性。适用于关键产品设计，提供卓越的电气性能。

精度:0.01%，0.05%，0.1% 温度系数: 1PPM~50PPM 封装:0603,0805,1206,1210,2010,2512

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塑封高精密金属膜电阻-MFD

塑封高精密金属膜电阻专业级精密电阻，提供卓越的稳定性、精确度和极低的温度系数，适用于要求严苛的电子应用。

精度:0.01%，0.02%，0.05%，0.1% 温度系数: 5PPM~25PPM 封装:0419，0727，1040，1551，1865

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高压贴片电阻-HVRS

采用钌基厚膜技术，电阻值高达100MΩ，2512尺寸最大过载电压4000V，适用于逆变器、户外设备、转换器等高电压应用场景

精度: ±1%，±5% 温度系数:100PPM,200PPM,400PPM 封装: 0603, 0805, 1206, 2010, 2512

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脉冲防护贴片电阻器-PWR

脉冲是指大功率、长持续时间（高能量）的过载。抗脉冲电阻器能够防止因瞬时大功率造成的损害，确保电路的可靠性和长期稳定性。

精度: ±0.5%，±1%，±5% 温度系数:100PPM,200PPM,300PPM 封装: 0603, 0805, 1206, 2010, 2512

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精密型金属膜晶圆电阻

采用先进金属膜技术，实现超高精度、超低温漂和优异的长期稳定性，适用于计量和精密仪器。

精度: ±0.1%，±1%，±5% 温度系数:5PPM,10PPM~50PPM 封装: 0102,0204,0207,0309,

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TO-220 35W无感功率电阻

35W高功率电阻，采用TO-220封装，适用于开关电源、缓冲电路、自动化机器控制器、射频功率放大器等应用

精度: 0.5%,1%,5% 温度系数: 50PPM ~ 300PPM 封装: TO-220

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TO-220 50W无感功率电阻

50W高功率电阻，采用TO-220封装，适用于开关电源、缓冲电路、自动化机器控制器、射频功率放大器等应用

精度: 0.5%,1%,5% 温度系数: 50PPM ~ 300PPM 封装: TO-220

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TO-263 35W无感功率电阻

35W高功率电阻，采用TO-263封装，适用于开关电源、缓冲电路、自动化机器控制器、射频功率放大器等应用

精度: 0.5%,1%,5% 温度系数: 50PPM ~ 300PPM 封装: TO-263

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TO-247 100W无感功率电阻

100W高功率电阻，采用TO-247封装，适用于开关电源、缓冲电路、自动化机器控制器、射频功率放大器等应用

精度: 0.5%,1%,5% 温度系数: 50PPM ~ 300PPM 封装: TO-247

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精密型金属膜晶圆电阻-RMF

标准MELF电阻，高级薄膜技术，通用型应用

精度: ±0.1%，±1%，±5% 温度系数:5PPM,10PPM~50PPM 封装: 0102,0204,0207,0309,

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金属氧化膜晶圆电阻-RMO

高功率MELF电阻，耐热性佳，适用于大功率应用，使用不燃性涂料，具不燃与绝缘之安全特性。

精度: ±2%，±5% 温度系数:350PPM 封装:0207,0309

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碳膜晶圆电阻-CM

出色的抗脉冲能力和散热性能，特殊的柱状机械结构可以耐振动和热冲击，长时间操作稳定性较佳，适合应用在通信,音响及消费型产品。

精度: ±5% 温度系数:300PPM 封装:0102,0204,0207,0309

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功率型晶圆电阻-EFP

高功率MELF电阻,高功率密度设计，优异的散热性能和稳定性，适用于大功率应用场合

精度: ±0.5% ~ ±5% 温度系数:200PPM ~ 800PPM 封装:0204,0207,0309,0411,0515

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稳定功率型晶圆电阻-SFP

散热性优于片式电阻器。具有较强的机械结构可抵抗振动和热冲击，低温度系数和公差，长时间使用稳定性高，承受功率的能力好。

精度: ±0.5% ~ ±5% 温度系数:25PPM ~ 100PPM 封装:0204,0207,0309,0411,0515

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高压晶圆电阻-HVM

高压MELF电阻，抗脉冲能力强，散热性能佳，耐振动和热冲击，长时间操作稳定性较佳。

精度: ±1% ~ ±5% 温度系数:200PPM ~ 1000PPM 封装:0204,0207,0309,0411,0515

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膜型瓷精晶圆电阻-C3M100

出色的抗脉冲能力和出色的散热性能，特殊的柱状机械结构可以耐振动和热冲击，适合替代陶瓷合成电阻器，广泛使用在不同应用上。

精度: ±10% ~ ±20% 温度系数:-3000PPM(Typical) 封装:0515

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电流感测(采样)晶圆电阻-CSM

出色的抗脉冲能力和散热性能，特殊的柱状机械结构可以耐振动和热冲击，长时间操作稳定性较佳。

精度: ±1% ~ ±5% 温度系数:50PPM~600PPM 封装:0204/0207/0309/0411

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点火噪声抑制陶瓷型晶圆电阻-ISC

出色的抗脉冲能力和散热性能，特殊的柱状机械结构可以耐振动和热冲击，长时间操作稳定性较佳，专为高压点火系统设计。

精度: ±10% ~ ±20% 温度系数:-3000PPM(Typical) 封装:0204/0207/0309/0411

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点火噪声抑制绕线型晶圆电阻-ISW

采用绕线方式制作可提升产品可靠度,特殊的柱状机械结构可以耐振动和热冲击，长时间操作稳定性较佳，专为高压点火系统设计。

精度: ±5% ~ ±20% 温度系数:±300PPM 封装:0204/0207/0309/0411

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嵌入式晶圆电阻-SLC

经过特殊处理的金属帽和增强的导电膜可承受磨损，冲击和腐蚀，从而降低操作过程中的接触电阻,适用于卡入式（嵌入式）应用.

精度: ±5% ~ ±10% 温度系数:-800PPM ~ +200PPM 封装:0204/0207/0309/0411

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可熔断晶圆电阻-FM

MELF圆柱形封装设计，柱状结构比其它片式电阻更能耐振动和热冲击，因此也适合在电路保护应用。

精度: ±5% 温度系数:±200PPM 封装:0204/0207/0309/0411

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跳线金属膜晶圆电阻-ZMM

贴片式跳线电阻,零欧姆薄膜电阻,跳线金属膜晶圆电阻可用作配置跳线，实际上，它不是真正的零欧姆电阻器，其电阻值低于20mΩ，可承受2A至4A的最大电流。在特定阻值的公差之下的零欧姆电阻，可以安全地用于传递更高的电流。

精度: Jumper 阻值:20毫欧封装:0102/0204/0207

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高频晶圆电阻-HFT

圆柱形SMD封装,优越的VSWR与出色的散热性能，特殊的柱状结构可以耐振动和热冲击，长时间操作稳定性较佳，已广泛使用于高频连接头等应用上

精度:±0.1%,±0.25%,±0.5%,±1% 温度系数:±50PPM,±100PPM 封装:0204/0207/0309/0411

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耐突波型金属膜晶圆电阻-MM(P)

比传统片式贴片电阻器具有更出色的抗脉冲能力和出色的散热性能，特殊的柱状机械结构可以耐振动和热冲击，长时间操作稳定性较佳。

精度:±5%,±1% 温度系数:±50PPM,±100PPM 封装:0204/0207/0309/0411

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突波抑制插件电阻-MSD

电阻是在高级陶瓷基材上使用特殊复合薄膜制成，符合防火等级UL 94 V-0的多涂层保护，出色的抗浪涌能力，不论是直接交叉或电感耦合都可减少电力线产生的冲击，保护电气设备或零件免受不固定的浪涌冲击

精度:±0.1%,±0.5%,±1%,±5% 温度系数:±300PPM 功率:1/2W ~ 6W

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突波防护插件电阻-PPR

额定功率范围为0.25W至2W,电阻范围为2.2Ω至4.7MΩ,提供比碳电阻器更好的性能。没有高浪涌引起的"烧结效应",因此不会大大降低电阻值,PPR系列可以取代碳膜电阻器,外表使用多层不易燃涂层。

精度: ±5% 温度系数:±750PPM,±1200PPM 功率:1/4W ~ 2W

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脉冲负载晶圆电阻-PVM

MELF封装因使用圆柱形陶瓷芯，不容易受到热应力扭曲，致使陶瓷芯断裂，又因为圆柱状结构的表面积是片式贴片的3倍多大，有足够的散热体积，因此具有热阻低、散热快等优点。

精度: ±1%,±5% 温度系数:±50PPM,±100PPM 功率:0.4W ~ 1W

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抗突波膜层插件电阻-SSR

用于替代碳膜或瓷精电阻器，适用于高浪涌应用，例如燃料点火系统，电源充放电电路，ECG电缆，以吸收有害的浪涌能量，因而防止火灾危险和电路损坏,使用防火涂层,产品符合RoHS要求，并且不含欧洲化学品管理局禁止的高度关注的物质。

精度: ±5% 温度系数:±600PPM,±750PPM 功率:1/4W ~ 3W

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抗突波膜层晶圆电阻-SRM

允许最大浪涌电压高达10KV，在浪涌电流或环境浪涌损坏方面具有更高的性能。通过AEC-Q200认证，抗硫化，适合表面黏着技术的外形结构，且尺寸与扁平芯片电阻相同，通过VDE安规测试规范与认证

精度:±5%,±1% 温度系数:±200PPM~±1200PPM 封装:0204/0207/0309/0411

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抗突波绕线晶圆电阻-SWM

抗突波绕线晶圆电阻适用于高浪涌应用，例如功率电容器的高浪涌电流保护，电机启动保护，汽车和摩托车发动机点火等，以吸收有害的浪涌能量，从而避免了由浪涌能量引起的电路损坏危险。

精度:±5%,±1% 温度系数:±100PPM,±200PPM 封装:0204/0207/0309/0411

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抗突波绕线晶圆电阻X系列-SWMX

应用于电容器充放电保护、马达起动保护、电动车、再生能源储存等等具有突波的应用中，电阻可以吸收有害的突波能量，从而防止电路因突波所造成损坏的危险。

精度: ±5%,±1% 温度系数: ±3000PPM 封装: 0204/0207/0309/0411

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抗突波绕线插件电阻-SWA

因为需要抗浪涌而增强焊点结构, 引脚铜引线上经过镀锡处理, 适合抗浪涌的应用，例如功率电容器的高浪涌电流保护，电动机启动保护，汽车和摩托车发动机点火等，以吸收有害的浪涌能量，从而防止因浪涌能量引起的电路损坏危险。

精度: ±5%,±1% 温度系数: ±100PPM,±200PPM 功率: 1W ~ 6W

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抗突波绕线可熔断晶圆电阻-SWMT

透过特殊处理将合金线与帽盖的焊点强化，使电阻能够承受更大的浪用冲击，电阻中增加保险丝功能，因此能够适用于大功率快速熔断的应用

精度: ±5%,±1% 温度系数: ±100PPM,±200PPM 封装: 0204/0207/0309/0411

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