MELF晶圆电阻
MELF（Metal Electrode Leadless Face）晶圆电阻是一种圆柱形贴片电阻，具有优异的电气性能和机械稳定性。相比传统的矩形贴片电阻，MELF电阻采用圆柱形结构，具有更好的散热性能、更高的功率密度和更稳定的电气特性。
硕为科技的MELF晶圆电阻系列采用先进的薄膜技术和精密制造工艺，提供从0.125W到1W的功率范围，阻值范围1Ω到10MΩ，精度±0.1%到±1%，满足各种高要求的电子系统应用需求。
- 圆柱形结构，稳定性高
- 优良的高频特性
- 高功率密度
- 低温度系数
- 优异的脉冲承受能力
- 符合RoHS环保标准
产品系列
金属膜晶圆电阻-RMF
标准MELF电阻，高级薄膜技术，通用型应用
精密型金属膜晶圆电阻-MMP
标准MELF电阻，高级薄膜技术，通用型应用
金属氧化膜晶圆电阻-RMO
高功率MELF电阻，耐热性佳，适用于大功率应用，使用不燃性涂料，具不燃与绝缘之安全特性。
精密型金属膜晶圆电阻-MMP
标准MELF电阻，高级薄膜技术，通用型应用
功率型晶圆电阻-EFP
高功率MELF电阻，耐热性佳，适用于大功率应用
稳定功率型晶圆电阻-SFP
公差小，温飘低，大功率贴片电阻,高可靠性
高压晶圆电阻-HVM
高压MELF电阻，抗脉冲能力强，散热性能佳，耐振动和热冲击，长时间操作稳定性较佳。
膜型瓷精晶圆电阻-C3M100
出色的抗脉冲能力和出色的散热性能，特殊的柱状机械结构可以耐振动和热冲击，适合替代陶瓷合成电阻器，广泛使用在不同应用上。
电流感测（采样）晶圆电阻-CSM
出色的抗脉冲能力和散热性能，特殊的柱状机械结构可以耐振动和热冲击，长时间操作稳定性较佳。
点火噪声抑制陶瓷型晶圆电阻-ISC
出色的抗脉冲能力和散热性能，特殊的柱状机械结构可以耐振动和热冲击，长时间操作稳定性较佳，专为高压点火系统设计。
点火噪声抑制绕线型晶圆电阻-ISW
采用绕线方式制作可提升产品可靠度,特殊的柱状机械结构可以耐振动和热冲击，长时间操作稳定性较佳，专为高压点火系统设计。
嵌入式晶圆电阻-SLC
经过特殊处理的金属帽和增强的导电膜可承受磨损，冲击和腐蚀，从而降低操作过程中的接触电阻,适用于卡入式（嵌入式）应用.
可熔断晶圆电阻-FM
MELF圆柱形封装设计，柱状结构比其它片式电阻更能耐振动和热冲击，因此也适合在电路保护应用。
跳线金属膜晶圆电阻-ZMM
贴片式跳线电阻,零欧姆薄膜电阻,跳线金属膜晶圆电阻可用作配置跳线，实际上，它不是真正的零欧姆电阻器，其电阻值低于20mΩ，可承受2A至4A的最大电流。在特定阻值的公差之下的零欧姆电阻，可以安全地用于传递更高的电流。
高频晶圆电阻-HFT
圆柱形SMD封装,优越的VSWR与出色的散热性能，特殊的柱状结构可以耐振动和热冲击，长时间操作稳定性较佳，已广泛使用于高频连接头等应用上
技术参数
| 参数 | MM系列 | MC系列 | MP系列 | MA系列 |
|---|---|---|---|---|
| 阻值范围 | 1Ω ~ 10MΩ | 1Ω ~ 10MΩ | 10Ω ~ 1MΩ | 1Ω ~ 10MΩ |
| 精度 | ±0.5% ~ ±1% | ±0.5% ~ ±1% | ±0.1% ~ ±0.5% | ±0.5% ~ ±1% |
| 温度系数 | ±100ppm/℃ ~ ±300ppm/℃ | ±100ppm/℃ ~ ±300ppm/℃ | ±25ppm/℃ ~ ±100ppm/℃ | ±100ppm/℃ ~ ±300ppm/℃ |
| 功率范围 | 0.25W ~ 0.4W | 0.5W ~ 1W | 0.25W ~ 0.4W | 0.25W ~ 0.4W |
| 工作温度 | -55℃ ~ +155℃ | -55℃ ~ +155℃ | -55℃ ~ +155℃ | -55℃ ~ +155℃ |
| 耐压 | 200V ~ 300V | 200V ~ 300V | 200V ~ 300V | 200V ~ 300V |
MELF电阻与传统贴片电阻对比
| 特性 | MELF电阻 | 传统贴片电阻 |
|---|---|---|
| 结构稳定性 | 圆柱形结构，机械强度高 | 矩形结构，易受应力影响 |
| 散热性能 | 优良的散热性能 | 散热性能一般 |
| 高频特性 | 低寄生电感和电容 | 寄生参数较大 |
| 功率密度 | 高功率密度 | 功率密度较低 |
| 安装难度 | 安装相对复杂 | 安装简单 |
| 成本 | 成本较高 | 成本较低 |
应用领域
通信设备
基站、路由器、交换机等
医疗设备
监护仪、诊断设备等
汽车电子
ECU、传感器、控制系统
工业控制
PLC、变频器、伺服驱动器
电源设备
开关电源、UPS等
测试测量
仪器仪表、测试设备